ชิ้นส่วนการบิน AD581SH วงจรรวม แรงดันเอาต์พุต (ต่ำสุด/คงที่) 10V

ชิ้นส่วนการบิน AD581SH วงจรรวม แรงดันเอาต์พุต (ต่ำสุด/คงที่) 10V
 

คำอธิบายของชิ้นส่วนการบิน:
 

AD581 เป็นการอ้างอิงแรงดันช่องว่างแถบความถี่แบบชดเชยอุณหภูมิ 3 พินที่ให้เอาต์พุต 10.00 V ที่แม่นยำจากระดับอินพุตที่ไม่ได้ควบคุมตั้งแต่ 12 V ถึง 30 V การตัดแต่งเวเฟอร์ด้วยเลเซอร์ (LWT) ใช้เพื่อตัดแต่งทั้งค่าเริ่มต้น ข้อผิดพลาดที่ +25°C เช่นเดียวกับค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ส่งผลให้ประสิทธิภาพความแม่นยำสูงก่อนหน้านี้มีเฉพาะในโมดูลควบคุมแบบไฮบริดหรือเตาอบราคาแพงเท่านั้นค่าเผื่อข้อผิดพลาดเริ่มต้น 5 mV และค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิที่รับประกัน 5 ppm/°C ของ AD581L มีอยู่ในการอ้างอิงแรงดันไฟฟ้าแบบเสาหิน

การออกแบบวงจรแบนด์แกปที่ใช้ใน AD581 มีข้อดีหลายประการเหนือเทคนิคซีเนอร์เบรกดาวน์ไดโอดแบบคลาสสิกที่สำคัญที่สุด ไม่จำเป็นต้องใช้ส่วนประกอบภายนอกเพื่อให้ได้ความแม่นยำเต็มที่และมีเสถียรภาพอย่างมากสำหรับระบบพลังงานต่ำนอกจากนี้ กระแสไฟทั้งหมดที่จ่ายให้กับอุปกรณ์ ซึ่งรวมถึงเอาต์พุตบัฟเฟอร์แอมพลิฟายเออร์ (ซึ่งสามารถจ่ายไฟได้สูงสุด 10 mA) โดยทั่วไปคือ 750 μAความเสถียรในระยะยาวของการออกแบบช่องว่างแถบความถี่นั้นเทียบเท่ากับไดโอดอ้างอิงซีเนอร์ที่เลือก

AD581 แนะนำให้ใช้เป็นข้อมูลอ้างอิงสำหรับตัวแปลงดิจิตอลเป็นอะนาล็อก (DAC) 8-, 10- หรือ 12 บิตที่ต้องการการอ้างอิงความแม่นยำภายนอกอุปกรณ์นี้ยังเหมาะอย่างยิ่งสำหรับตัวแปลงแอนะล็อกเป็นดิจิทัล (ADC) ทุกประเภทที่มีความแม่นยำสูงถึง 14 บิต ไม่ว่าจะเป็นการประมาณแบบต่อเนื่องหรือการรวมการออกแบบ และโดยทั่วไปแล้วสามารถให้ประสิทธิภาพที่ดีกว่าอุปกรณ์อ้างอิงมาตรฐานที่มีในตัวเอง

AD581J, AD581K และ AD581L ถูกระบุสำหรับการทำงานตั้งแต่ 0°C ถึง 70°C;มีการระบุ AD581S, AD581T และ AD581U สำหรับช่วง −55°C ถึง +125°Cเกรดทั้งหมดบรรจุในกระป๋องโลหะ TO-5 แบบ 3 ขาที่ปิดสนิท

คุณสมบัติของชิ้นส่วนการบิน:

• การตัดแต่งด้วยเลเซอร์ทั้งความแม่นยำเริ่มต้นและค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิส่งผลให้มีข้อผิดพลาดต่ำมากเมื่ออุณหภูมิลดลงโดยไม่ต้องใช้ส่วนประกอบภายนอกAD581L มีความเบี่ยงเบนสูงสุดจาก 10.000 V ที่ ±7.25 mV จาก 0°C ถึง 70°C ในขณะที่ AD581U รับประกันข้อผิดพลาดรวมสูงสุด ±15 mV โดยไม่มีขอบภายนอกตั้งแต่ −55°C ถึง +125°C
• เนื่องจากการตัดแต่งด้วยเลเซอร์เสร็จสิ้นบนแผ่นเวเฟอร์ก่อนที่จะแยกออกเป็นชิปแต่ละชิ้น AD581 จึงมีค่าอย่างยิ่งสำหรับนักออกแบบแบบไฮบริดเนื่องจากใช้งานง่าย ไม่จำเป็นต้องตัดแต่งภายนอก และมีประสิทธิภาพสูงโดยกำเนิด
• AD581 ยังสามารถทำงานในโหมดซีเนอร์ 2 พินเพื่อให้ค่าอ้างอิง −10 V ที่แม่นยำด้วยตัวต้านทานภายนอกเพียงตัวเดียวไปยังแหล่งจ่ายที่ไม่มีการควบคุมประสิทธิภาพในโหมดนี้เกือบเท่ากับการกำหนดค่า 3 พินมาตรฐาน
• การออกแบบวงจรขั้นสูงโดยใช้แนวคิด band gap ทำให้ AD581 สามารถทำงานเต็มประสิทธิภาพด้วยแรงดันอินพุตที่ไม่ได้ควบคุมถึง 13 โวลต์ เมื่อใช้ตัวต้านทานภายนอก อุปกรณ์จะทำงานโดยมีแหล่งจ่ายไฟต่ำถึง 11.4 โวลต์ 5 AD581 มีจำหน่ายในเวอร์ชันต่างๆ สอดคล้องกับ MILSTD-883อ้างถึงแผ่นข้อมูลทางทหารสำหรับข้อมูลจำเพาะโดยละเอียด

ข้อมูลจำเพาะของชิ้นส่วนการบิน: