ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
-
เกร็ก เบลด์1บริการดีที่สุด ราคาดีที่สุด 2หวังว่าเราจะได้ทําธุรกิจกันมากขึ้นในอนาคต 3เนื่องจากคุณบริการดีมาก ผมจะแพร่กระจายข่าวดีเกี่ยวกับซีซีแอนฟอร์เวอร์ ระหว่างสมาชิกสมาชิกของนันชาง CJ-6 -
อาร์ชัด ซาลีม1ผมจะไม่ติดต่อกับบริษัทใด ๆ โดยตรง คุณจะเป็นแหล่งแหล่งของฉันในจีน 2พวกคุณเยี่ยมมาก เรามีความร่วมมือที่เรียบร้อยและประสบความสําเร็จ นี่คือผลการร่วมมือของเรา
ชิ้นส่วนการบิน 2N2907A ตัวเก็บประจุทรานซิสเตอร์สองขั้ว - แรงดันอิมิตเตอร์ 60 V
| หมายเลขรุ่น | 2N2907A |
|---|---|
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 1 ชิ้น |
| ราคา | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ | กล่อง |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | แอล/C, ที/ที |
ติดต่อฉันเพื่อตัวอย่างฟรีและคูปอง
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีชัต: 0086 18588475571
สกายเป: sales10@aixton.com
หากคุณมีปัญหา เราให้ความช่วยเหลือออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ผศ | ไมโครชิป | ผลิตภัณฑ์ | ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT |
|---|---|---|---|
| สไตล์การติดตั้ง | ผ่านรู | บรรจุภัณฑ์ / กล่อง | TO-18-3 |
| แรงดันฐานสะสม VCBO | 60 โวลต์ | อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO | 5 โวลต์ |
| แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ | 1.6 โวลต์ | กระแสสะสม DC สูงสุด | 600 มิลลิแอมป์ |
| เน้น | อะไหล่เครื่องบิน ทรานซิสเตอร์สองขั้ว,ทรานซิสเตอร์แบบสองขั้ว 60 วอลต์,2N2907A ทรานซิสเตอร์สองขั้ว |
||
รายละเอียดสินค้า
ชิ้นส่วนการบิน 2N2907A ตัวเก็บประจุทรานซิสเตอร์สองขั้ว - แรงดันอิมิตเตอร์ 60 V
คำอธิบายของชิ้นส่วนการบิน:
2N2905A และ 2N2907A เป็นทรานซิสเตอร์ Planar Epitaxial PNP แบบซิลิคอนใน Jedec TO-39 (สำหรับ 2N2905A) และใน Jedec TO-18 (สำหรับ 2N2907A) เคสโลหะออกแบบมาสำหรับการสลับอิ่มตัวความเร็วสูงและการใช้งานทั่วไป
คุณสมบัติของชิ้นส่วนการบิน:
- กระแสสูง (สูงสุด 600mA)
- แรงดันไฟฟ้าต่ำ (สูงสุด 60V)
- เสร็จสิ้นไร้สารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS (หมายเหตุ 1) (ส่วนต่อท้าย "P" ระบุว่าเป็นไปตาม RoHS ดูข้อมูลการสั่งซื้อ)
ข้อมูลจำเพาะของชิ้นส่วนการบิน:
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | ไมโครชิพ |
| ประเภทสินค้า: | ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | เอ็น |
| สไตล์การติดตั้ง: | ผ่านรู |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | TO-18-3 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | พนง |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| แรงดันคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO สูงสุด: | 60 โวลต์ |
| แรงดันฐานสะสม VCBO: | 60 โวลต์ |
| อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO: | 5 โวลต์ |
| แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์: | 1.6 โวลต์ |
| กระแสสะสม DC สูงสุด: | 600 มิลลิแอมป์ |
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 500 มิลลิวัตต์ |
| รับแบนด์วิดธ์ผลิตภัณฑ์ fT: | - |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 65 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 200 ซ |
| บรรจุภัณฑ์: | เป็นกลุ่ม |
| ยี่ห้อ: | เทคโนโลยีไมโครชิป |
| ประเภทสินค้า: | BJTs - ทรานซิสเตอร์สองขั้ว |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 1 |
| หมวดหมู่ย่อย: | ทรานซิสเตอร์ |
| เทคโนโลยี: | ศรี |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.050459 ออนซ์ |
แนะนำผลิตภัณฑ์