LP2998MA NOPB DDR ตัวควบคุมการสิ้นสุด 1.35 V ถึง 5.5 V

ชิ้นส่วนการบิน BIS10PLN0314F หน้าสัมผัสแบบวงมาตรฐานวัสดุโลหะผสมทองแดง

คำอธิบายของชิ้นส่วนการบิน:
 

ตัวควบคุมเชิงเส้น LP2998 ได้รับการออกแบบให้ตรงตามข้อกำหนด JEDEC SSTL-2 และ JEDEC SSTL-18 สำหรับการยกเลิกหน่วยความจำ DDR-SDRAM และ DDR2อุปกรณ์นี้ยังรองรับการสิ้นสุดบัส DDR3 และ DDR3L VTT ด้วย VDDQ นาทีที่ 1.35 V อุปกรณ์ประกอบด้วยแอมพลิฟายเออร์การทำงานความเร็วสูงเพื่อให้การตอบสนองที่ยอดเยี่ยมต่อโหลดชั่วคราวระยะเอาต์พุตป้องกันการยิงผ่านในขณะที่ส่งกระแสต่อเนื่อง 1.5 A และสูงสุดชั่วคราวสูงสุด 3 A ในแอปพลิเคชันตามที่จำเป็นสำหรับการยกเลิก DDR-SDRAMนอกจากนี้ LP2998 ยังรวมพิน VSENSE เพื่อให้การควบคุมโหลดที่เหนือกว่าและเอาต์พุต VREF เป็นข้อมูลอ้างอิงสำหรับชิปเซ็ตและ DIMM

คุณลักษณะเพิ่มเติมที่พบใน LP2998 คือพินแอ็คทีฟโลว์ปิดเครื่อง (SD) ที่ให้ฟังก์ชัน Suspend To RAM (STR)เมื่อ SD ถูกดึงให้ต่ำ เอาต์พุต VTT จะสามสถานะโดยให้เอาต์พุตอิมพีแดนซ์สูง แต่ VREF จะยังคงทำงานอยู่ข้อได้เปรียบในการประหยัดพลังงานสามารถรับได้ในโหมดนี้ผ่านกระแสไฟนิ่งที่ต่ำกว่า

คุณสมบัติของชิ้นส่วนการบิน:

• ·แนวทางการทดสอบ AEC-Q100 พร้อมผลลัพธ์ต่อไปนี้
• ·(ดังนั้น PowerPAD-8):
• ·o อุปกรณ์ HBM ESD ระดับการจำแนกประเภท H1C
• ·o ช่วงอุณหภูมิทางแยก –40°C ถึง 125°C
• · 1.35 V ขั้นต่ำ VDDQ
• · แหล่งที่มาและจมปัจจุบัน
• · การชดเชยแรงดันเอาต์พุตต่ำ
• · ไม่จำเป็นต้องใช้ตัวต้านทานภายนอก
• · โทโปโลยีเชิงเส้น
• ·ระงับการทำงานของ Ram (STR)
• · จำนวนส่วนประกอบภายนอกต่ำ
• · การปิดระบบระบายความร้อน

ข้อมูลจำเพาะของชิ้นส่วนการบิน: