LP2998MA NOPB DDR ตัวควบคุมการสิ้นสุด 1.35 V ถึง 5.5 V

            ชิ้นส่วนการบิน BIS10PLN0314F หน้าสัมผัสแบบวงกลมมาตรฐาน วัสดุโลหะผสมทองแดง

คำอธิบายชิ้นส่วนการบิน:
 

ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบเชิงเส้น LP2998 ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองข้อกำหนด JEDEC SSTL-2 และ JEDEC SSTL-18 สำหรับการสิ้นสุดหน่วยความจำ DDR-SDRAM และ DDR2 อุปกรณ์นี้ยังรองรับการสิ้นสุดบัส DDR3 และ DDR3L VTT ด้วย VDDQ ขั้นต่ำ 1.35 V อุปกรณ์นี้มีแอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการความเร็วสูงเพื่อให้การตอบสนองที่ยอดเยี่ยมต่อการเปลี่ยนแปลงของโหลดอย่างรวดเร็ว ส่วนเอาต์พุตป้องกันการลัดวงจรในขณะที่ส่งกระแสต่อเนื่อง 1.5 A และกระแสไฟกระชากสูงสุด 3 A ในการใช้งานตามที่ต้องการสำหรับการสิ้นสุด DDR-SDRAM LP2998 ยังมีขา VSENSE เพื่อให้การควบคุมโหลดที่เหนือกว่าและเอาต์พุต VREF เป็นข้อมูลอ้างอิงสำหรับชิปเซ็ตและ DIMM

คุณสมบัติเพิ่มเติมของ LP2998 คือขาปิดการทำงาน (SD) แบบแอคทีฟต่ำ ซึ่งให้ฟังก์ชัน Suspend To RAM (STR) เมื่อ SD ถูกดึงลงเอาต์พุต VTT จะเข้าสู่สถานะ tri-state ทำให้เกิดเอาต์พุตอิมพีแดนซ์สูง แต่ VREF จะยังคงทำงานอยู่ ข้อได้เปรียบในการประหยัดพลังงานสามารถทำได้ในโหมดนี้ผ่านกระแสไฟนิ่งที่ต่ำลง

คุณสมบัติของชิ้นส่วนการบิน:

• ·แนวทางการทดสอบ AEC-Q100 พร้อมผลลัพธ์ดังนี้
• ·(SO PowerPAD-8):
• ·o ระดับการจำแนก HBM ESD ของอุปกรณ์ H1C
• ·o ช่วงอุณหภูมิรอยต่อ –40°C ถึง 125°C
• · VDDQ ขั้นต่ำ 1.35 V
• · กระแสต้นทางและกระแสปลายทาง
• · ความคลาดเคลื่อนของแรงดันเอาต์พุตต่ำ
• · ไม่ต้องใช้ตัวต้านทานภายนอก
• · โครงสร้างเชิงเส้น
• · ฟังก์ชัน Suspend to Ram (STR)
• · จำนวนส่วนประกอบภายนอกต่ำ
• · การปิดระบบระบายความร้อน

ข้อมูลจำเพาะของชิ้นส่วนการบิน: